[发明专利]NOR型快闪记忆体及其制造方法

摘要

一种NOR型快闪记忆体，是由基底、控制闸极、掺杂区、隔离层、隔离结构、浮置闸极、穿隧介电层与闸间介电层所构成。其中，控制闸极以第一方向排列于基底上、掺杂区则以第二方向排列于基底内。隔离层是位于控制闸极与掺杂区之间，隔离结构则在掺杂区及与控制闸极重叠以外的基底中。而浮置闸极位于隔离层之间的基底与控制闸极间、穿隧介电层位于基底与浮置闸极间、闸间介电层位于控制与浮置闸极间。由于控制闸极和掺杂区交错配置，所以可省去连接汲极区的接触窗面积，且能够使讯号传送距离保持相同。

主权项

1、一种NOR型快闪记忆体，其特征在于其包括：一基底；多数条控制闸极，以一第一方向排列于该基底上；多数条掺杂区，以一第二方向排列于该基底内；一隔离层，位于该些控制闸极与该些掺杂区之间；多数个隔离结构，位于该些掺杂区及与该些控制闸极重叠以外的该基底中；多数个浮置闸极，位于该隔离层之间的该基底与该些控制闸极之间；多数个穿隧介电层，位于该基底与该些浮置闸极之间；以及多数个闸间介电层，位于该些控制闸极与该些浮置闸极之间。