[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200510068463.2 | 申请日： | 2005-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1691292A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 冈本悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/304;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是一种用于制造半导体器件的方法，通过它能去除当蚀刻导电层时形成的反应产品。根据本发明用于制造半导体器件的方法，包括去掉粘附到导电层以在垂直方向上延伸的反应产品步骤，以使得反应产品在等离子体放电激活的活性物质加速的方向上的厚度很薄。应当注意到当蚀刻导电层时制造反应产品。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括步骤：在衬底上形成导电层；在导电层上形成掩模；通过利用掩模的第一蚀刻来构图导电层，其中反应产品粘附到已构图的导电层的至少一个侧壁上，以及反应产品的一部分粘附到掩模的侧壁上；使用液体组成物处理以去除掩模和去掉该部分的反应产品；和通过利用氧气和卤素气体作为处理气体的第二蚀刻去除反应产品的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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