[发明专利]一种多晶锗硅薄膜的制备方法

摘要

本发明公开的多晶锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：先将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，在硅衬底上热氧化一层二氧化硅层；然后利用电子束蒸发，在热氧化后的硅片上蒸镀一层金属镍或金属钴；再将镀好镍或钴的样品放入超高真空化学气相沉积装置中，500～600℃下，先通入纯硅源，控制生长室压强＜20Pa，进行生长，使镍或钴转化为镍或钴硅化物，再将气源转换为纯硅烷和以氢气为载气的锗烷，在镍或钴硅化物上形成一层多晶锗硅薄膜。采用这种方法制备的多晶锗硅薄膜，一方面可以有效的减少金属的污染；另一方面由于金属诱导与薄膜生长几乎同时进行，无需退火结晶。从而能够为半导体器件制造提供高质量的多晶锗硅薄膜。

主权项

1.一种多晶锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：1)将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，通入纯氧于900～1200℃下热氧化一层0.2～0.3μm的二氧化硅层；2)利用电子束蒸发在热氧化后的硅片上蒸镀一层厚为30～60nm的金属镍或金属钴；3)将镀好镍的样品放入超高真空化学气相沉积装置中，500～600℃下，先通入纯硅源，控制生长室压强＜20Pa，进行生长，使镍或钴转化为镍或钴硅化物，再将气源转换为纯硅烷和以氢气为载气的锗烷，锗烷的体积含量为锗烷与氢气混和气体的10％，纯硅烷跟锗烷与氢气混和气体的流量比为5∶5，生长40～60分钟，在镍或钴硅化物上形成一层多晶锗硅薄膜。