[发明专利]逻辑与非快闪存储器芯片存取方法及与非快闪存储器芯片有效

专利信息
申请号: 200510059087.0 申请日: 2005-03-18
公开(公告)号: CN1674160A 公开(公告)日: 2005-09-28
发明(设计)人: E·德夫斯;U·希德布兰德 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术股份公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C7/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 梁永
地址: 联邦德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 在一种用于一存储器芯片(7),特别是一NAND快闪存储器芯片的存取方法中,该存储器存取乃是取决于该存储器芯片所使用的型态。在此状况下,该方法乃意欲于支持各种的存储器芯片型态。根据本发明的该方法,乃是先自包含有用于对该存储器芯片(7)存取的一存储器芯片典型信息项目的该存储器芯片(7)中读取数据(27),然后,对于该存储器芯片的接续存取则是利用被包含在该数据(27)中的该存储器芯片典型信息项目而执行。
搜索关键词: 逻辑 闪存 芯片 存取 方法
【主权项】:
1.一种用于一存储器芯片(7)的存取方法,其中,该存取乃是取决于所使用的存储器芯片(7)的型态,并且各种存储器芯片型态都可获得支持,该方法包括下列步骤:a)自包含有用于对该存储器芯片的该存取的一存储器芯片典型信息项目的该存储器芯片(7)读取第一数据(27);以及b)利用包含在该第一数据(27)中的该存储器芯片典型信息项目而对该存储器芯片(7)进行存取。
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