[发明专利]基于电场可编程的存储设备无效
申请号: | 200510056066.3 | 申请日: | 2005-03-23 |
公开(公告)号: | CN1674293A | 公开(公告)日: | 2005-09-28 |
发明(设计)人: | 卜路嘉;C·卡特勒;C·R·斯兹曼达;E·卡金;D·A·格朗贝克 | 申请(专利权)人: | 罗姆和哈斯公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L51/00;H01L51/30;G11C16/00;G11C11/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 龙传红 |
地址: | 美国宾*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在这里公开的是包括键接于电活性结构部分上的聚合物的电场可编程的膜。还在这里公开的是制造电场可编程的膜的方法,包括在基片上沉积包括聚合物和以共价键键接于该聚合物上的电活性结构部分的组合物。也在这里公开的是数据处理机,它包括:执行指令的处理器的和包括电场可编程的膜的存储设备,其中该电场可编程的膜包括以共价键键接于电活性结构部分上的聚合物,和进一步其中该存储设备与处理器实现电和/或光学连通。 | ||
搜索关键词: | 基于 电场 可编程 存储 设备 | ||
【主权项】:
1.电场可编程的膜,包括:键接到电活性结构部分上的聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的