[发明专利]基于电场可编程的存储设备无效

专利信息
申请号: 200510056066.3 申请日: 2005-03-23
公开(公告)号: CN1674293A 公开(公告)日: 2005-09-28
发明(设计)人: 卜路嘉;C·卡特勒;C·R·斯兹曼达;E·卡金;D·A·格朗贝克 申请(专利权)人: 罗姆和哈斯公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L51/00;H01L51/30;G11C16/00;G11C11/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 龙传红
地址: 美国宾*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在这里公开的是包括键接于电活性结构部分上的聚合物的电场可编程的膜。还在这里公开的是制造电场可编程的膜的方法,包括在基片上沉积包括聚合物和以共价键键接于该聚合物上的电活性结构部分的组合物。也在这里公开的是数据处理机,它包括:执行指令的处理器的和包括电场可编程的膜的存储设备,其中该电场可编程的膜包括以共价键键接于电活性结构部分上的聚合物,和进一步其中该存储设备与处理器实现电和/或光学连通。
搜索关键词: 基于 电场 可编程 存储 设备
【主权项】:
1.电场可编程的膜,包括:键接到电活性结构部分上的聚合物。
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