[发明专利]有源像素传感器有效
申请号: | 200510055132.5 | 申请日: | 2005-03-17 |
公开(公告)号: | CN1835244A | 公开(公告)日: | 2006-09-20 |
发明(设计)人: | 施俊吉;陈俊伯;王铭义 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L29/78;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种有源像素传感器,其晶体管的栅极避开绝缘区交界处而设置,因此在栅极下方的空乏区不会直接与绝缘区接触,可避免因绝缘区损坏而引起漏遗电流,其包括:绝缘区;感光二极管,设置于该半导体基底中,其中该感光二极管具有一第一掺杂区;护环,环状包围该第一掺杂区并具有一缺口,且该护环设置于该第一掺杂区外围的该绝缘区交界处;第一晶体管,其具有一第一栅极,电连接于该第一掺杂区;以及第二晶体管,该第二晶体管与该第一晶体管具有一共享漏极,且该第一掺杂区电连接于该第二晶体管的源极,该第二晶体管具有一第二栅极设置于该缺口处的该半导体基底上,且该第二栅极不与该绝缘区交界重叠。 | ||
搜索关键词: | 有源 像素 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种有源像素感测单元(active pixel sensor cell,APS cell),其包括:一绝缘区,设于一半导体基底中,环绕该有源像素感测单元设置并隔离该有源像素感测单元,其中该绝缘区与该有源像素感测单元的其它元件具有一绝缘区交界;一感光二极管,设置于该半导体基底中,其中该感光二极管具有一第一掺杂区;一护环,环状包围该第一掺杂区并具有一缺口,且该护环设置于该第一掺杂区外围的该绝缘区交界处;一第一晶体管,其具有一第一栅极,电连接于该第一掺杂区;以及一第二晶体管,该第二晶体管与该第一晶体管具有一共享漏极,且该第一掺杂区电连接于该第二晶体管的源极,该第二晶体管具有一第二栅极设置于该缺口处的该半导体基底上,且该第二栅极不与该绝缘区交界重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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