[发明专利]电荷捕捉记忆元件的制造方法

摘要

本发明是有关于一种电荷捕捉记忆元件的制造方法。此结构有一硅基底与两个接面。在两个接面之间的基底上有一栅氧化层GOX，且在GOX上有一多晶硅栅极。而且，硅基底上有一底氧化层BOX，且沿着多晶硅栅极之底部与侧壁形成有一共形的顶氧化层TOX。位于GOX旁边、BOX与TOX之间有两个电荷捕捉嵌入物。各个电荷捕捉嵌入物之上至少被一部分的多晶硅栅极所覆盖。该新元件具有稳定的位元，且不会有应力诱导漏SILC的问题，可避免起始电压VT变宽的问题以及初始起始电压VT漂移的问题，容易抹除所捕捉的电荷并且体积小。

主权项

1.一种电荷捕捉记忆元件，其特征在于其包括：一半导体基底；一绝缘层，其具有氧化物的特性；一第一与一第二嵌入物，其是由一非导电捕捉材料所定义，该第一与该第二嵌入物与该绝缘层的一第一侧与一第二侧相邻；以及一多晶硅栅极，定义在该绝缘层以及至少一部分的该第一与该第二嵌入物之上。