[发明专利]压阻式高频动态高压传感器有效

专利信息
申请号: 200510037982.2 申请日: 2005-03-04
公开(公告)号: CN1828247A 公开(公告)日: 2006-09-06
发明(设计)人: 王文襄;许广军;李水侠;李济顺;谢维钦;温争艳 申请(专利权)人: 昆山双桥传感器测控技术有限公司
主分类号: G01L1/18 分类号: G01L1/18
代理公司: 昆山四方专利事务所 代理人: 盛建德
地址: 215325江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种压阻式高频动态高压传感器由压阻敏感组件、传感器基座、转接电路和引出电缆组成,压阻敏感组件由硅压阻敏感元件和玻璃环片组成,敏感元件具有力敏区的圆平硅膜片,膜片两面覆盖SiO2层和Si3N4,力敏区正面有惠斯顿全桥并引出电极,力敏区正面裸露硅片焊接于玻璃环面上,电极焊接于金丝内引线,玻璃环片另一面粘贴在传感器基座进压端的环行凹坑面,硅片背面与传感器基座进压端面齐平,内引线另一端焊接到传感器腔体内的转接电路,引出电缆之芯线焊接于转接电路,传感器基座尾部旋固用于封装的传感器管帽,引出电缆通过传感器管帽底部口引出并且基于压线帽固定于传感器管帽,转接电路与引出电缆间接有高频带宽放大电路,实现传输信号高频放大。
搜索关键词: 压阻式 高频 动态 高压 传感器
【主权项】:
1.一种压阻式高频动态高压传感器,由压阻敏感组件、传感器基座(12)、转接电路和引出电缆(15)组成,其特征在于:1)该压阻敏感组件由硅压阻敏感元件和玻璃环片组成,该硅压阻敏感元件为具有圆形力敏区(6)的圆平硅膜片(9),该硅膜片两面依次覆盖有SiO2层(2)和Si3N4层(1),该力敏区正面有惠斯顿应变全桥并引出电阻电极,该力敏区正面周边部裸露出硅芯片,并焊接于抛光Pyrex或GG-17玻璃环片(7),形成该压阻敏感组件,该电阻电极焊接于金丝内引线(11)一端。圆平膜片的直径为1.5-4mm,厚度为0.15-0.82mm。2)该压阻敏感组件之玻璃环片另一面粘贴在该传感器基座进压端口设有的环行凹坑面,实现该压阻敏感组件之硅膜片背面与该传感器基座进压端口的端面齐平封装,该金丝内引线另一端焊接到固定于该转接电路,该引出电缆之芯线焊接于该转接电路,实现该金丝内引线与相应芯线导通;3)该传感器基座之尾部旋固用于封装该传感器的传感器管帽(16),该引出电缆通过该传感器管帽底部口引出,并且基于压线帽(17)固定于该传感器管帽。
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