[发明专利]含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510030868.7 | 申请日： | 2005-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1794476A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 江风益;熊传兵;方文卿;王立 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047江西省南昌*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件包含：一个含铬的支撑基板，层叠于支撑基板之上的第一欧姆电极，层叠于第一欧姆电极之上的铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)半导体叠层，层叠于铟镓铝氮半导体叠层之上的第二欧姆电极。制造上述发光元件的方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)半导体叠层，在铟镓铝氮半导体叠层上形成第一欧姆电极，在第一欧姆电极上形成铬支撑基板，把硅衬底去除，在铟镓铝氮半导体叠层上形成第二欧姆电极。该发光元件具有成本较低、发光效率高、散热特性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 金属 铬基板 铟镓铝氮 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件，由下至上依次包含：支撑基板、第一欧姆电极、半导体叠层、第二欧姆电极，其特征在于：所述的支撑基板含有铬且铬成分不少于15％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌大学，未经南昌大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510030868.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
