[发明专利]实现浅沟道隔离的工艺方法

摘要

本发明公开了一种实现浅沟道隔离的工艺方法，在现有的常规工艺方法中，在氮化硅窗口内形成氧化硅内侧墙，进行STI的硅的干法刻蚀形成浅槽后，再用湿法腐蚀去掉氧化硅内侧墙，在进行氧化硅填充时，由于氮化硅窗口的口径比STI的浅槽口径大，在STI工艺模块完成后，STI的上边角被氧化硅所覆盖并保护，使得在后面的腐蚀工艺中氧化硅免于从STI边角向内部刻蚀而形成凹坑。本发明可以减小甚至消除STI顶部边缘的凹坑，改善隔离效果，减小凹坑所引起的漏电流。

主权项

1、一种实现浅沟道隔离的工艺方法，其特征在于：包括如下步骤，首先，在硅衬底上淀积初始的氮化硅和氧化硅层；然后，利用光刻打开STI窗口，刻蚀掉STI窗口上的氮化硅和氧化硅层形成氮化硅窗口；第二步、在氮化硅层的上表面及氮化硅窗口内淀积一层薄的氧化硅；第三步、利用干法刻蚀将氮化硅层上表面的氧化硅及氮化硅窗口底部的氧化硅去除，仅保留氮化硅窗口内两侧的氧化硅，形成氧化硅内侧墙；第四步、采用干法刻蚀，进行STI的硅的刻蚀，形成STI的浅槽；第五步、利用湿法腐蚀去掉氧化硅内侧墙；第六步、以热氧化法在STI的浅槽内生长一层薄的氧化硅，并实现STI上边角的圆化；第七步、对STI的浅槽、氮化硅窗口及氮化硅的表面淀积氧化硅，然后，用化学机械抛光去除多余的淀积的氧化硅层；最后利用湿法腐蚀去除STI顶部多余的氧化硅，并去除氮化硅窗口两侧初始淀积的氮化硅和氧化硅层形成STI。