[发明专利]倒装焊结构发光二极管及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200510029115.4 申请日: 2005-08-26
公开(公告)号: CN1731592A 公开(公告)日: 2006-02-08
发明(设计)人: 江忠永;鲍坚仁 申请(专利权)人: 杭州士兰明芯科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈亮
地址: 310018浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了倒装焊结构发光二极管及其制造方法,包括:在散热基板上制作第一金属层,并分别形成p电极区和n电极区;在所述第一金属层上形成金属凸点阵列;在LED芯片的p、n电极上形成第二金属层;将所述LED芯片的p电极和n电极分别对应所述散热基板上的p电极区和n电极区键合,并对相接触的第二金属层和金属凸点阵列加压、加超声、加热。本发明的倒装焊结构发光二极管,包括:一散热基板;第一金属层,位于所述散热基板之上,包括了p电极区和n电极区;金属凸点阵列,位于所述第一金属层上的p电极区之上;LED芯片,所述LED芯片的n电极位于所述第一金属层的所述n电极区之上,所述LED芯片的p电极位于所述第一金属层的所述p电极区之上。
搜索关键词: 倒装 结构 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
1、倒装焊结构发光二极管及其制造方法,包括提供一散热基板和具有p、n电极的LED芯片,所述方法包括:步骤一,在散热基板上制作第一金属层,并分别形成p电极区和n电极区;步骤二,在所述第一金属层上形成金属凸点阵列;步骤三,在LED芯片的p、n电极上形成第二金属层;步骤四,将所述LED芯片的p电极和n电极分别对应所述散热基板上的p电极区和n电极区键合,并对相接触的第二金属层和金属凸点阵列加压、加超声、加热。
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