[发明专利]可实现多位存储的单元结构

摘要

一种可实现多位存储的单元结构，属于微电子技术领域。本发明包括：基底、下电极、相变层、加热层、阻挡层、上电极、绝缘侧壁，基底设在最下层，在基底的上面设有下电极，上电极设在最上层，在下电极和上电极之间设有至少三层相变层，上电极与相变层之间、下电极与相变层之间以及相变层之间设有阻挡层，每个相变层中间设有加热层，下电极、相变层、加热层、阻挡层和上电极均设在绝缘侧壁的细孔里。本发明有效提高数据存储密度，并且提高多位存储的稳定性。

主权项

1.一种可实现多位存储的单元结构，包括：基底(1)、下电极(2)、相变层(3、4、5)、上电极(13)、绝缘侧壁(14)，其特征在于，还包括：加热层(6、7、8)、阻挡层(9、10、11、12)，基底(1)设在最下层，在基底(1)的上面设有下电极(2)，上电极(13)设在最上层，在下电极(2)和上电极(13)之间设有至少三层相变层(3、4、5)，上电极(2)与相变层(3)之间、相变层(3、4、5)之间以及下电极(13)与相变层(5)之间分别设有阻挡层(9、10、11、12)，每个相变层(3、4、5)中间设有加热层(6、7、8)，下电极(2)、相变层(3、4、5)、加热层(6、7、8)、阻挡层(9、10、11、12)和上电极(13)均设在绝缘侧壁(14)的细孔里。