[发明专利]可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法有效
| 申请号： | 200510026541.2 | 申请日： | 2005-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1722462A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;刘波;徐成;徐嘉庆;刘卫丽;封松林;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;H01L27/24;H01L21/336;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法。主要利用相变材料的半导体特性，通过对相对稳定且易微细加工的可逆相变材料所具有的N型与P型特性制备出微米到纳米量级的小尺寸场效应晶体管，利用纳米加工技术，在晶体管的源、漏上制备10－100nm的引出电极，这样就可实现构成相变存储单元的1R1T(一个可逆相变电阻，一个场效应晶体管)在结构上的一体化与功能上的集成，可有效提高相变存储器的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 可逆 相变 电阻 晶体管 合二为一 存储器 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元，其特征在于可逆相变电阻和场效应晶体管结构上一体化和功能上集成。
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