[发明专利]一种在化学机械研磨中减少导体结构碟陷与侵蚀的方法有效
| 申请号： | 200510026257.5 | 申请日： | 2005-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1870244A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 王欣;白启宏;刘俊良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321;B24B37/00 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 在铜的化学机械研磨过程中的后期，由于不同区域铜的研磨速率不同，产生的铜导体结构中的碟陷与侵蚀。本发明提出在化学机械研磨中减少导体结构碟陷与侵蚀的方法，通过施加反向直流偏压，平衡不同区域铜的研磨速率，克服了铜的碟陷与侵蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械 研磨 减少 导体 结构 侵蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在化学机械研磨中减少导体结构碟陷与侵蚀的方法，包括衬底上形成第一电介质层(ILD)；在电介质层上形成一阻挡层(stop layer)；在阻挡层上形成第二电介质层(IMD)；形成接触窗和接触窗通孔插塞金属；刻蚀形成第一层(M1)金属线接触窗；形成一铜层，并填入接触窗中以形成导电结构；化学机械研磨移除部分导电层以平坦化；研磨过程中施加反向直流偏压，平衡不同区域铜的研磨速率。在研磨速率较快的导电结构上加上反向直流偏压，使其停止研磨，而研磨较慢的导电结构上未加反向直流偏压，继续研磨直至表面平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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