[发明专利]在碳/碳复合材料表面制备碳化硅涂层的方法

摘要

本发明公开了一种在碳/碳复合材料表面制备碳化硅涂层的方法，其目的是在较低的温度下在碳/碳复合材料表面制备抗氧化的碳化硅涂层，包括下述步骤：用清水将稻壳洗涤干净，并且烘干、粉碎；经过碳化、研磨；再与2～4％卤化物催化剂混合制成包埋料；将经过打磨抛光碳/碳复合材料试样用无水乙醇清洗干净，在烘箱中烘干，放入石墨坩埚中，埋入上述包埋料；将石墨坩埚放入真空炉中，抽真空后，通Ar气保护升温至1400～1450℃，保温2～4小时，以8～10℃/分钟降温至970℃，关闭电源冷却至室温。由于采用碳化稻壳为单一反应原料，采用包埋法在碳/碳复合材料表面制备碳化硅涂层，制备温度1400～1450℃，比现有技术的1600～1700℃低200～250℃，可节约能源。

主权项

1、一种在碳/碳复合材料表面制备碳化硅涂层的方法，包括下述步骤：1)用清水将稻壳洗涤干净，在80～100℃的温度下烘干、粉碎至0.1～0.5mm的颗粒；2)将经过步骤1)处理的稻壳颗粒装入氧化铝匣钵，放入电炉中，先开炉大焰燃烧2～10分钟，再闭炉碳化，碳化温度为600～700℃，保温3～5小时；3)将碳化稻壳颗粒放入研磨罐中，加入蒸馏水放在快速研磨机上研磨10～15分钟后，在80～100℃的温度下烘干；4)将经过步骤3)制备的碳化稻壳粉末与2～4％卤化物催化剂混合制成包埋料；5)将碳/碳复合材料用砂纸轻轻打磨并清洗干净后，在烘箱中于90～110℃下烘干；6)将经过步骤5)处理的碳/碳复合材料试样放入石墨坩埚中，埋入经过步骤4)制备的包埋料；7)将石墨坩埚放入真空炉中，抽真空后，通Ar气保护升温至1400～1450℃，保温2～4小时，以8～10℃/分钟降温至970℃，关闭电源冷却至室温。