[发明专利]半导体装置的单片化方法无效
| 申请号： | 200510008200.2 | 申请日： | 2005-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1740087A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 小泽信男 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置的单片化方法，不会对在半导体基板上形成的MEMS的机械结构体造成振动、冲击。该方法是使半导体基板单片化的方法，该半导体基板具有：具有形成微小机械结构体的第1区域、和包围上述第1区域且形成划线的第2区域的第1面；以及具有与上述第1面对置并与形成上述微小机械结构体的上述第1区域相对应的第3区域、和包围上述第3区域且与上述第2区域相对应的第4区域的第2面，其特征在于该半导体装置的单片化方法包括：使与在上述第1面的上述第2区域上形成的划线相对应的上述第2面的上述第4区域薄膜化的步骤，以及沿着在上述第1面的上述第2区域上形成的上述划线切断上述半导体基板的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 单片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的单片化方法，是把半导体基板单片化的方法，该半导体基板具有：具有形成微小机械结构体的第1区域、和包围上述第1区域且形成划线的第2区域的第1面；以及具有与上述第1面对置并与形成上述微小机械结构体的上述第1区域相对应的第3区域、和包围上述第3区域且与上述第2区域相对应的第4区域的第2面，其特征在于该方法包括：使与在上述第1面的上述第2区域上形成的上述划线相对应的上述第2面的上述第4区域薄膜化的步骤，以及沿着在上述第1面的上述第2区域上形成的上述划线切断上述半导体基板的步骤。
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