[发明专利]半导体电热膜制造方法无效
| 申请号： | 200510000047.9 | 申请日： | 2005-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1802042A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 林正平 | 申请（专利权）人： | 林正平 |
| 主分类号： | H05B3/26 | 分类号： | H05B3/26;H05B3/12 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 | 代理人： | 张应 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体电热膜制造方法，先以锡，钒的氯化物及硅化物为主体材料，在调制过程中加入铁，锑，铟等化合物作为掺杂剂，使前述材料均匀混合并依特定比例和溶剂介质混合后，再加入少许无机酸当调合剂使其和主体材料产生氧化还原反应；然后，将基板以超音波清洗后再以纯水清洁，再将基板放入高温炉中依流水线(in line)的加热方式缓慢加热，当基板表面达变态点温度时，再将上述原料经过非铁质且耐酸碱材料所制成的喷头喷出，成为高温雾化为雾状的带电粒子而沉积于基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电热 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体电热膜制造方法，其特征在于包括下列步骤：以锡，钒的氯化物及硅化物为主体材料，其后，在调制的过程中加入铁，锑，铟等化合物作为掺杂剂，其成份为主体材料的0.01-1％，将上述的材料均匀混合，并依特定比例和溶剂介质混合；将上述原料混合均匀后加入少许的无机酸当调合剂使其和主体材料产生氧化还原反应；以及将一基板以超音波清洗后再以纯水清洁，将基板放入高温炉中依流水线(in line)的加热方式将基板缓慢加热，当基板表面达变态点温度时，再将上述原料经过非铁质且耐酸碱材料所制成的喷头喷出，成为高温雾化为雾状的带电粒子而沉积于基板上。
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