[发明专利]具有均化电容的高压和低导通电阻横向扩散金属氧化物半导体晶体管

摘要

依据本发明的高压横向扩散金属氧化物半导体晶体管包括在一N型井区的一扩展漏极区中的多个P型场块，所述多个P型场块在所述N型井区中形成接面场，以均化介于漏极区域与源极区域间的寄生电容的电容值，并在击穿发生前完全耗尽漂移区。因而允许N型井区可具有较高的掺杂浓度与达到较高的击穿电压，较高的掺杂浓度可降低晶体管的导通电阻，此外，产生于源级扩散区下方的N型井区部份为源极区域产生一低阻抗路径，因而限制了流动于漏极区与源极区之间的晶体管电流。

主权项

1.一种晶体管，其特征在于包括：一P型衬底；形成于所述P型衬底中包含有N型导电离子的一第一扩散区和一第二扩散区，其中，所述的第一扩散区包含了一扩展漏极区；包含N+型导电离子的一漏极扩散区，在所述的扩展漏极区内形成一个漏极区；多个在所述扩展漏极区形成的P型场块；其中所述的P型场块具有不同的大小尺寸；其中最小的P型场块离所述漏极区最近；其中所述的P型场块用于产生接面场；具有N+导电离子的源极扩散区，在由所述第二扩散区构成的所述N型井区内形成一源极区，其中最大的P型场块离所述源极区最近；在所述漏极区和所述源极区之间形成的一通道；一多晶硅栅极电极，形成在所述通道上方，用以控制在所述通道中电流的流通；包含P+型导电离子的一接触扩散区，在由所述第二扩散区形成的所述N型井区内形成一接触区；以及在由所述第二扩散区形成的所述N型井区中形成一隔离P型井区，以防击穿；其中在所述第二扩散区中形成的所述隔离P型井区包围所述源极区和所述接触区。