[发明专利]封装元件的工艺和封装的元件无效
申请号: | 200480035873.0 | 申请日: | 2004-11-15 |
公开(公告)号: | CN1890789A | 公开(公告)日: | 2007-01-03 |
发明(设计)人: | 约根·雷伯 | 申请(专利权)人: | 肖特股份公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/58;H01L23/48 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及晶片级封装工艺和用这种工艺封装的元件。本发明的一个目的是提供这种类型的工艺:保证高成品率,适用于光学和/和微机械元件并实现改善的从功能区热机械去耦。依照本发明的工艺,在将晶片装备切割成芯片之前,基片衬底被分成体区和连接区,体区在所有情况下延伸过功能区,连接区关于接触连接凹槽偏置。然后元件在体区或连接区被薄化直到其在体区和连接区中的厚度不同。 | ||
搜索关键词: | 封装 元件 工艺 | ||
【主权项】:
1.用于封装元件的工艺,其中基片衬底在其功能侧面上有多个相互间隔的功能区,并且借助功能侧面,以在所有情况下功能区都被封装的方式,在晶片级上与覆盖衬底永久连接,其中基片衬底上的接触表面通过在基片衬底中形成接触连接凹槽而从基片衬底的背面裸露出来,该背面在功能侧面的对侧,其中基片衬底被分成体区和连接区,体区在每种情况下延伸过功能区并为功能区形成封装的部分,连接区相对于接触连接凹槽偏移,元件在体区或连接区被薄化直到它在体区和连接区中具有不同的厚度,以及其中至少由基片衬底和覆盖衬底形成的晶片组件沿功能区之间的预定切割线被切割成芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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