[发明专利]低能量多沟道全耗尽量子井互补式金氧半导体场效晶体管有效
| 申请号： | 200480033329.2 | 申请日： | 2004-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1879224A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | J·N·帕恩;J·G·佩尔兰;J·D·奇克 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种多沟道半导体装置具有已完全或部分耗尽的量子井，并且对于超大型积体装置内，像是互补式金氧半晶体管(CMOSFET)，是特别有用的。例如，多沟道区域(15)设置在衬底(12)上，并具有形成于最上端沟道区域(15)上的栅极电极(16)，其间是藉由栅极氧化层(14c)来分隔。此多沟道(15)的垂直堆叠和栅极电极(16)允许在半导体装置内增加驱动电流，而不需增加由该装置所占据的硅区域。 | ||
| 搜索关键词： | 能量 沟道 耗尽 量子 互补 式金氧 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种多沟道半导体装置，包括：于衬底(12)上的第一绝缘层(14a)；于该第一绝缘层(14a)上的第一沟道区域(15)；于该第一沟道区域(15)上的第二绝缘层(14a)；于该第二绝缘层(14b)上的第二沟道区域(15)；于该第二沟道区域(15)上的第三绝缘层(14c)；以及于该第三绝缘层(14c)上的栅极电极(16)。
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