[发明专利]低能量多沟道全耗尽量子井互补式金氧半导体场效晶体管有效
| 申请号： | 200480033329.2 | 申请日： | 2004-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1879224A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | J·N·帕恩;J·G·佩尔兰;J·D·奇克 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 能量 沟道 耗尽 量子 互补 式金氧 半导体 晶体管 | ||
【权利要求书】：
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