[发明专利]集成电子芯片和互连器件及其制造方法

摘要

说明了一种用于形成包括半导体器件和用于连接到母板的连接器的集成结构的方法。在对烧蚀辐射透明的板(23)上形成第一层(26)，以及在所述半导体器件(31)上形成第二层(32)。所述第一层具有连接到接合焊盘(27p)的第一组导体(27)，根据与所述母板的连接所需的间隔，以第一间隔距离间隔所述接合焊盘。所述第二层具有连接到所述半导体器件的第二组导体(33)。利用间隔小于所述接合焊盘的间隔的栓塞/过孔连接器(29，36)连接所述第一层和所述第二层。从而将所述半导体器件附装到所述第一层，通过所述栓塞连接所述第一组和第二组导体。通过穿透所述板的烧蚀辐射(45)烧蚀所述第一层与所述板之间的界面，从而分离所述板。然后将所述连接器结构(47、48、49)附装到所述接合焊盘。该方法允许以降低的成本制造高密度封装器件。

主权项

1.一种制造集成结构的方法，所述集成结构包括半导体器件(31)和用于将所述半导体器件连接到母板的连接器结构(47、48、49)，所述方法包括以下步骤：在对烧蚀辐射透明的板(23)上形成第一层(26)，所述第一层具有在其中设置的第一组导体(27)，所述第一组导体连接到接合焊盘(27p)，根据与所述母板的连接所需的间隔，以第一间隔距离间隔所述接合焊盘；在所述半导体器件(31)上形成第二层(32)，所述第二层具有在其中设置的第二组导体(33)，所述第二组导体连接到所述半导体器件；在所述第一层和所述第二层中的一层上形成栓塞(29)，并在所述第一层和所述第二层中的另一层上形成第三层(35)，以小于所述第一间隔距离的第二间隔距离间隔所述栓塞；在所述第三层中形成过孔(36)，根据所述第二间隔距离间隔所述过孔；将所述栓塞(29)对准所述过孔(36)；将所述半导体器件附装到所述第一层，从而通过所述栓塞连接所述第一组导体与所述第二组导体；利用穿透所述板的烧蚀辐射(45)烧蚀所述第一层与所述板之间的界面，从而分离所述板；以及将所述连接器结构附装到所述接合焊盘。