[发明专利]向多态磁随机访问存储器单元进行写入的方法无效
| 申请号： | 200480024513.0 | 申请日： | 2004-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN1842873A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 布雷德利·N·恩格尔;埃里奇·J·萨尔特;约恩·M·斯劳特 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种切换可调节的磁致电阻存储器单元的方法，包括步骤：提供磁致电阻存储器器件(12)，其具有夹在字线(14)和位线(16)之间的两个位(18)和(20)，从而电流波形(104)和(106)能够在不同的时刻施加在字线和位线上，以产生磁场通量HW和HD，以将设备(12)的有效磁瞬间向量(86)和(94)旋转180°。每一位包括N层铁磁体层(32)，以及(34，42)，以及(44，60)，以及(62，72和74)，它们通过反铁磁体层耦合。可以对N调整，以改变位的磁切换量。通过调整字线和/或位线上的电流，可以对一个或两个位编程。 | ||
| 搜索关键词： | 多态磁 随机 访问 存储器 单元 进行 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对具有位于两个电流导体之间的两个位的存储器单元进行编程的方法，包括：触发两个位的逻辑状态；以及触发两个位之一的逻辑状态。
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