[发明专利]半导体激光装置的制造方法无效
| 申请号： | 200480024180.1 | 申请日： | 2004-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1839524A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 宫地护;木村义则;竹间清文 | 申请（专利权）人： | 日本先锋公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种多波长半导体激光装置的制造方法。其具有良好的批量生产性。首先制成在半导体基板(SUB1)上形成有由多层体构成的第1激光谐振部(1a)和金属粘接层的第1中间生成体，以及在支撑基板上形成有比第1激光谐振部(1a)小的由多层体构成的第2激光谐振部(2a)和与其邻接的槽，并且形成有由金属构成的粘接层的第2中间生成体，然后使波导路(1b、2b)接近，使第1、第2中间生成体的粘接层彼此熔接，生成一体化的粘接层(CNT)，在将第1、第2激光谐振部(1a、2a)固定粘接后，将支撑基板从第2激光谐振部(2a)剥离，使粘接层(CNT)的一部分露出，从而制造出以该露出的粘接层为共用电极的半导体激光装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发射不同波长的多个激光的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，包括：第1工序，在半导体基板上制作第1中间生成体，其中包括形成具有用于形成第1激光谐振部的半导体的第1多层体的步骤；第2工序，在支撑基板上制作第2中间生成体，其中包括形成由用于形成第2激光谐振部的半导体构成的第2多层体的步骤和在所述第2多层体上形成槽的步骤；第3工序，通过将所述第1中间生成体的所述第1多层体侧的表面和所述第2中间生成体的所述第2多层体侧的表面通过导电性粘接层进行固定粘接，制成粘合体；第4工序，通过从所述粘合体的所述支撑基板侧向所述第2多层体照射光，将所述支撑基板和所述第2多层体分离。
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