[发明专利]用于对光谱反射计光信号进行电子空间滤波的方法和系统有效
申请号: | 200480021237.2 | 申请日: | 2004-06-24 |
公开(公告)号: | CN1826685A | 公开(公告)日: | 2006-08-30 |
发明(设计)人: | 安德鲁·佩里 | 申请(专利权)人: | 拉姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于确定对半导体晶片进行等离子处理的终点的方法,该方法包括以下步骤:提供光源;和提供用于对来自该光源的光进行准直并使其对准半导体晶片的活性表面。多条光检测器光纤交织在多条光源光纤间,这些光源光纤将光从光源传输到透镜系统。来自半导体晶片的活性表面的反射光由多条光检测器光纤接收,并被提供给成像分光计。接收到的反射光由成像分光计进行分析,并与模型光信号进行匹配。选择匹配的光信号以确定等离子处理的终点或其他状态。 | ||
搜索关键词: | 用于 光谱 反射 信号 进行 电子 空间 滤波 方法 系统 | ||
【主权项】:
1、一种用于确定对晶片上的晶片表面进行等离子刻蚀操作的终点的方法,该晶片表面具有正被刻蚀的特征部,该方法包括以下步骤:将准直光施加到晶片表面上;对来自晶片表面的反射光进行检测,该反射光是利用多个离散检测区域来检测的,各检测区域被配置成描绘频带上的独特信号;识别所述多个检测区域中的一个检测区域以与模型光信号相关联;以及根据来自所述多个检测区域中的识别出的一个检测区域的反馈,执行等离子刻蚀操作的终点,执行终点是在对晶片表面上的特征部进行刻蚀的过程中进行的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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