[发明专利]窄隙电容耦合反应器的射频脉冲调制

摘要

提供了一种用于对晶片上的一层进行等离子体蚀刻的装置。提供了一种电容耦合加工室。提供气体源。在加工室中提供第一和第二电极。第一射频电源电连接到第一和第二电极中的至少一个，其中第一射频电源提供射频功率。第二射频电源电连接到第一和第二电极中的至少一个。第一调制控制器连接到第一射频电源，提供第一射频电源的控制调制。

主权项

1.一种用于对晶片上的层进行等离子蚀刻的装置，包括：电容耦合加工室；气体源，与所述电容耦合加工室流体连接；第一电极，在所述加工室中；第二电极，与所述第一电极分隔开并与之相对；第一射频电源，电连接到所述第一和第二电极中的至少一个，其中所述第一射频电源提供150kHz和10MHz之间的射频功率；第二射频电源，电连接到所述第一和第二电极中的至少一个，其中所述第二射频电源提供12MHz和200MHz之间的射频功率；以及第一调制控制器，连接到所述第一射频电源，在1kHz到100kHz之间的频率提供所述第一射频电源的控制调制。