[发明专利]具有同轴和离轴方位的微机械设备结构有效
申请号: | 200480018404.8 | 申请日: | 2004-04-27 |
公开(公告)号: | CN1813336A | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 约翰·A·吉恩 | 申请(专利权)人: | 模拟器件公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种微机械多传感器,其提供1个加速度感测轴和2个角速度感测轴。制造所述微机械多传感器的方法包括:在衬底的表面上淀积牺牲材料层或结构材料层。随后利用预定掩膜图案来掩蔽牺牲材料层或结构材料层。使用具有多水平和垂直间距的直线栅格来形成所述预定掩膜图案。所述掩膜图案定义所述传感器设备的功能元件。在所述微机械多传感器具有至少一个其对准和/或宽度是所述传感器设备的性能的关键的第一功能元件的情况下,定义所述关键元件,使得其纵轴基本上平行于所述掩膜的水平轴或垂直轴。在所述微机械多传感器具有至少一个其对准和/或宽度不是所述传感器设备的性能的关键的第二功能元件的情况下,定义所述非关键元件,使得其纵轴不平行于所述掩膜的水平轴或垂直轴。 | ||
搜索关键词: | 具有 同轴 方位 微机 设备 结构 | ||
【主权项】:
1、一种用于在衬底上制造微机械设备的方法,所述微机械设备包括在所述衬底上具有关键物理尺寸或关键对准的至少一个第一元件,以及至少一个非关键第二元件,所述方法包括以下步骤:在所述衬底的表面上淀积至少一个层;使用预定掩膜图案来掩蔽所述淀积层,所述掩膜图案具有与之相关联的相互正交的第一和第二轴,所述掩膜图案用于在所述淀积层上定义与所述设备的第一和第二元件对应的各个区域,与至少一个第一元件对应的所述各个区域具有相关关键轴,该相关关键轴基本上平行于与所述掩膜图案相关联的所述第一或第二轴,以及与至少一个第二元件对应的所述各个区域具有相关非关键轴,该相关非关键轴偏离与所述掩膜图案相关联的所述第一或第二轴;并且蚀刻所述掩膜层,以将所述掩膜图案传递到该层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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