[发明专利]离子掺杂装置、离子掺杂方法以及半导体装置

摘要

一种离子掺杂装置、离子掺杂方法以及半导体装置。离子掺杂装置包括：腔室(11)；排气部(13)，其排出腔室内的气体；离子源(12)，其设置在腔室内，具有对含有要掺杂的元素的气体进行导入的导入口(14)、放出热电子的灯丝(15)以及用于在与所述灯丝之间进行电弧放电的阳极电极(17)，通过电弧放电使气体分解，生成含有要掺杂的元素的离子；加速部(23)，其从离子源(12)引出在离子源(12)生成的离子并且朝向对象物加速，控制电弧放电，使在灯丝和电弧电极之间流动的电弧电流一定。

主权项

1.一种离子掺杂装置，其中，包括：腔室；排气部，其排出所述腔室内的气体；离子源，其设置在所述腔室内，具有对含有要掺杂的元素的气体进行导入的导入口、放出热电子的灯丝以及用于在与所述灯丝之间进行电弧放电的阳极电极，通过所述电弧放电来分解所述气体，生成含有所述要掺杂的元素的离子；加速部，其从所述离子源引出在所述离子源生成的离子，并且朝向对象物加速，控制所述电弧放电，使在所述灯丝和所述阳极电极之间流动的电弧电流成为一定。