[发明专利]背面照射型光检测装置的制造方法

摘要

在半导体基板(1)的表面侧形成CCD部(3)。其次，对半导体基板(1)的背面侧的对应于CCD部(3)的区域进行薄化处理，保留该区域的周边区域(1a)，在半导体基板(1)的背面侧形成蓄积层(5)。其次，在半导体基板(1)的表面侧的对应于周边区域(1a)的区域(1b)上，形成与CCD部(3)电气连接的电气配线(7)、以及电气连接在该电气配线(7)上的电极焊接区(9)，将支撑基板(11)粘接在半导体基板(1)的表面侧上，使电极焊接区(9)露出，同时覆盖CCD部(3)。其次，在半导体基板(1)被薄化处理的部分将半导体基板(1)以及支撑基板(11)切断，保留对应于形成有电气配线(7)以及电极焊接区(9)的区域(1b)的周边区域(1a)。

主权项

1.一种背面照射型光检测装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基板的一面上形成电荷读出部的工序；对所述半导体基板的另一面上的对应于所述电荷读出部的区域进行薄化处理而保留该区域的周边区域的工序；在所述半导体基板的所述另一面上形成蓄积层的工序；在所述半导体基板的所述一面上的对应于所述周边区域的区域中，形成与所述电荷读出部电气连接的电气配线以及电气连接在该电气配线上的电极焊接区的工序；将支撑基板粘接在所述半导体基板的所述一面上，使所述电极焊接区仍呈露出状态而覆盖所述电荷读出部的工序；以及在所述半导体基板被薄化处理的部分将所述半导体基板以及所述支撑基板切断，保留对应于形成有所述电气配线以及所述电极焊接区的区域的周边区域的工序。