[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200480000922.7 | 申请日： | 2004-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1701426A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 堀充明 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/318 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;王玉双 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，能够抑制离子注入到栅电极中的硼穿透栅绝缘膜，并能够抑制沟道区的迁移率的下降。半导体器件的制造方法包括：在半导体基板的有源区上形成栅绝缘层的工序；利用活性氮从上述栅绝缘层表面侧导入氮的工序；在NO气体环境中实施退火处理的工序，以确保已导入氮的栅绝缘层内的氮浓度分布在表面侧高、且在与半导体基板的界面处低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基板的有源区上形成栅绝缘层的工序；利用活性氮从上述栅绝缘层表面侧导入氮的工序；然后，在NO气体环境中对上述半导体基板实施退火处理的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
