[实用新型]高量子效率的影像传感器无效
申请号: | 200420093000.2 | 申请日: | 2004-09-23 |
公开(公告)号: | CN2741191Y | 公开(公告)日: | 2005-11-16 |
发明(设计)人: | 杨敦年;伍寿国;钱河清;曾建贤;林政贤 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L31/00;H04N5/335 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王一斌 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型提供一种高量子效率的影像传感器,其感光二极管是设置于感光区,且设置于用以定义有源区的浅沟槽隔离结构的底部水平线下方,在感光二极管的表面上依序设置第一介电层和内层介电层,其中第一介电层与感光二极管接触,内层介电层的折射系数小于第一介电层的折射系数,第一介电层的折射系数小于感光二极管的折射系数。 | ||
搜索关键词: | 量子 效率 影像 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种高量子效率的影像传感器,其特征在于,包括:一基底,该基底具有一感光区和一有源区;一浅沟槽隔离结构,设置于该基底中,用以定义该有源区;一感光二极管,设置于该感光区,且设置于该浅沟槽隔离结构的底部水平线下方;一第一介电层,设置于该感光二极管表面,且与该感光二极管接触;以及一内层介电层,设置于该第一介电层上,其中该内层介电层的折射系数小于该第一介电层的折射系数,该第一介电层的折射系数小于该感光二极管的折射系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的