[实用新型]高量子效率的影像传感器无效

专利信息
申请号: 200420093000.2 申请日: 2004-09-23
公开(公告)号: CN2741191Y 公开(公告)日: 2005-11-16
发明(设计)人: 杨敦年;伍寿国;钱河清;曾建贤;林政贤 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/14 分类号: H01L27/14;H01L31/00;H04N5/335
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 王一斌
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型提供一种高量子效率的影像传感器,其感光二极管是设置于感光区,且设置于用以定义有源区的浅沟槽隔离结构的底部水平线下方,在感光二极管的表面上依序设置第一介电层和内层介电层,其中第一介电层与感光二极管接触,内层介电层的折射系数小于第一介电层的折射系数,第一介电层的折射系数小于感光二极管的折射系数。
搜索关键词: 量子 效率 影像 传感器
【主权项】:
1.一种高量子效率的影像传感器,其特征在于,包括:一基底,该基底具有一感光区和一有源区;一浅沟槽隔离结构,设置于该基底中,用以定义该有源区;一感光二极管,设置于该感光区,且设置于该浅沟槽隔离结构的底部水平线下方;一第一介电层,设置于该感光二极管表面,且与该感光二极管接触;以及一内层介电层,设置于该第一介电层上,其中该内层介电层的折射系数小于该第一介电层的折射系数,该第一介电层的折射系数小于该感光二极管的折射系数。
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