[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410104941.6 | 申请日： | 2004-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1638148A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 小林研也 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括多个单元，每一单元包括垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。单元包括：在第一基极区里形成的第一源极区，在第一基极区里形成的且与第一源极区分离的第二源极区，以及在第一基极区里形成的且布置在第一和第二源极区之间的第二基极区。该半导体器件还包括在多个单元中的每一个的附近形成的沟槽栅极。单元的第二基极区与相邻单元的第二基极区分离，并且单元的第一或第二源极区与相邻单元的第一或第二源极区分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件包括：多个单元，每一单元包括垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，其包括：在第一基极区里形成的第一源极区；在第一基极区里形成的且与第一源极区分离的第二源极区，和在第一基极区里形成的且布置在第一和第二源极区之间的第二基极区；以及在多个单元中的每一个的附近形成的沟槽栅极，其中一个单元的第二基极区与相邻单元的第二基极区分离，并且一个单元的第一或第二源极区与相邻单元的第一或第二源极区分离。
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