[发明专利]半导体激光二极管无效
| 申请号： | 200410104917.2 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1700542A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 赵秀行 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/20;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光二极管，包括：一有源层；一形成于该有源层之上的上包覆层；一形成于该有源层之下的第一下包覆层；一形成于该第一下包覆层下面的第二下包覆层；以及一形成于该第二下包覆层下面的衬底，其中，第一下包覆层的折射率与上包覆层的折射率相同，并且低于第二下包覆层的折射率。由于上和下包覆层具有以有源层为中心的不对称折射率，因此通过分散近场而使远场垂直光束发散角得以减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光二极管，包括：一有源层；一形成于所述有源层之上的上包覆层；一形成于所述有源层之下的第一下包覆层；一形成于所述第一下包覆层下面的第二下包覆层；以及一形成于所述第二下包覆层下面的衬底，其中，所述第一下包覆层的折射率与所述上包覆层的折射率相同并且低于所述第二下包覆层的折射率。
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