[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 200410104859.3 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1638042A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 大沼英人;井上弘毅 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/00;G02F1/136;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王勇 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种半导体器件的制作方法，该方法使用促进晶化的元素进行晶化，之后通过吸杂以减少晶质半导体膜中的该元素的浓度，从而抑制在该晶质半导体膜中产生小孔。为了实现上述目的，本发明的结构之一的特征是在去除形成在半导体膜上的氧化硅膜时，使用由包含氟和显示界面活性的物质的液体构成的蚀刻剂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：在通过使用促进晶化的元素而实现结晶化的第一晶质半导体膜上形成第一氧化硅膜，并且所述第一晶质半导体膜包括硅；在所述第一氧化硅膜上形成包括非晶硅的第二半导体膜；执行加热处理，其间第二氧化硅膜形成在所述第二半导体膜上；以及使用包含氟和显示界面活性的物质的液体去除所述第二氧化硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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