[发明专利]存储电路、半导体装置以及电子设备无效
申请号: | 200410103648.8 | 申请日: | 2004-12-29 |
公开(公告)号: | CN1637934A | 公开(公告)日: | 2005-07-13 |
发明(设计)人: | 小出泰纪 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G11C11/22 | 分类号: | G11C11/22 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种主要在程序电路等使用的存储电路,可以简单、稳定地读取存储数据。所述存储电路包括:具有一端及另一端的第一铁电电容器和第二铁电电容器、电连接于第一铁电电容器的一端以及第二铁电电容器的另一端的第一连接部、电连接于第一铁电电容器的另一端以及第二铁电电容器的一端的第二连接部、使第一铁电电容器的一端和第二铁电电容器的一端之间产生规定的电位差的电位差提供部。优选电位差提供部包括具有第一端以及第二端的触发器。 | ||
搜索关键词: | 存储 电路 半导体 装置 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种存储电路,其特征在于包括:第一铁电电容器,具有一端及另一端;第二铁电电容器,具有一端及另一端;第一连接部,用于电连接所述第一铁电电容器的所述一端以及所述第二铁电电容器的所述另一端;第二连接部,用于电连接所述第一铁电电容器的所述另一端以及所述第二铁电电容器的所述一端;以及电位差提供部,用于使所述第一铁电电容器的所述一端和所述第二铁电电容器的所述一端之间产生规定的电位差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410103648.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。