[发明专利]抗蚀剂残渣去除液组合物及半导体电路元件的制造方法无效
| 申请号： | 200410100602.0 | 申请日： | 2004-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1645259A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 川本浩;宫里美季江;大和田拓央;石川典夫 | 申请（专利权）人： | 关东化学株式会社;株式会社东芝 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;G03F7/30;H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其在半导体电路元件的制造工序中，提高在干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的去除性强，充分地抑制对以铝、铜、钨及各种金属为主要成分的合金的腐蚀，由于不配合有机溶剂等有机化合物，对环境的影响小，保存稳定性好。本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法，配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 残渣 去除 组合 半导体 电路 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其是在基板表面上形成以铝、铜、钨及各种金属为主要成分的合金中的任何一种金属的布线的工序中，去除在干蚀刻后抛光抗蚀剂的处理产生的光致抗蚀剂残渣，该组合物中配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上，无机酸的配合量为30质量％或以下，无机氟化物的配合量以氢氟酸换算为0.001～0.015质量％，其中不含有机酸、四级烷基铵、过氧化氢及臭氧。
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