[发明专利]氮化物基发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410100599.2 | 申请日： | 2004-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1617365A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 宋俊午;成泰连 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;光州科学技术院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种氮化物基发光装置和制造该装置的方法，该装置包括比氧化铟锡具有更高的功函数的透明导电氧化物制成的透明电极。氮化物基发光装置具有由衬底、n－型复合层、活性层、P－型复合层以及电阻性接触层依次层叠的结构。电阻性接触层作为透明导电氧化物制成的薄膜，具有比氧化铟锡或掺有金属掺杂剂的透明导电氧化物制成的薄膜更高的功函数。因此，带有P－型复合层的电阻性接触特性得到提高，从而确保了优秀的电流－电压特性。此外，透明电极高的光透射率能够增加装置的发射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物基发光装置，其中含有在n-型复合层与P-型复合层之间的活性层，其中，由透明导电氧化物制成的电阻性接触层在P-型复合层上形成，和透明导电氧化物是选自：包括镓、铟和氧作为主要成分的第一透明导电氧化物，包括锌、铟和氧作为主要成分的第二透明导电氧化物，包含镓、铟、锡和氧作为主要成分的第三透明导电氧化物，以及包括锌、铟、锡和氧作为主要成分的第四透明导电氧化物的一组。
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