[发明专利]包覆钡铁氧体薄膜的碳化硅电磁吸波材料及其制备工艺无效
| 申请号： | 200410099156.6 | 申请日： | 2004-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1657585A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张晏清;张雄 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C09K3/00 | 分类号： | C09K3/00;G12B17/02;H05K9/00;C09D1/00 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 杜林雪 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种包覆钡铁氧体薄膜的碳化硅电磁吸波材料及其制备工艺，是在碳化硅微粒表面包覆钡铁氧体薄膜，所述碳化硅和钡铁氧体质量比为0.1～10∶1。本发明采用柠檬酸盐溶胶—凝胶法在碳化硅微粒表面制备钡铁氧体层。本发明的复合材料可达到有效红外隐身，增强电磁吸波能力并使吸波频段宽化。本发明产品可广泛应用于各种民用电器和电子仪器设备机壳作为吸波涂层，还可作为建筑涂料和砂浆的外加剂，涂覆于住宅小区变电所建筑墙体表层以减少大功率电器电磁波辐射，保障居民的身体健康。 | ||
| 搜索关键词： | 包覆钡 铁氧体 薄膜 碳化硅 电磁 材料 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种包覆钡铁氧体薄膜的碳化硅电磁吸波材料，其特征在于：在碳化硅微粒表面包有钡铁氧体薄膜，碳化硅和钡铁氧体质量比为0.1～10∶1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学，未经同济大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410099156.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
