[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200410098350.2 | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1624932A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 土屋义规;入沢寿史;木下敦宽;古贺淳二 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L29/43 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：硅衬底、形成在所述硅衬底的表面上的n型沟道区、与所述n型沟道区的表面相对形成的n型源区和n型漏区、形成在所述n型源区和所述n型漏区之间的所述n型沟道区的所述表面上的第一栅绝缘膜、形成在所述第一栅绝缘膜上的具有金属元素M和第一IV族半导体元素 Si1－aGea (0≤a≤1)的化合物的第一栅极、形成在所述硅衬底的所述表面上的p型沟道区、与所述p型沟道区的表面相对形成的p型源区以及p型漏区、形成在所述p型源区以及所述p型漏区之间的所述p型沟道区的所述表面上的第二栅绝缘膜、形成在所述第二栅绝缘膜上的具有所述金属元素M和第二IV族半导体元素Si1－cGec (0≤c≤1，a≠c)的化合物的第二栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：硅衬底和形成在所述硅衬底上的n型半导体器件和p型半导体器件；所述n型半导体器件包括：形成在所述硅衬底的表面上的n型沟道区；与所述n型沟道区的表面相对形成的n型源区以及n型漏区；形成在所述n型源区以及所述n型漏区之间的所述n型沟道区的所述表面上的第一栅绝缘膜；形成在所述第一栅绝缘膜上的具有金属元素M和第一IV族半导体元素Si1-aGea的化合物的第一栅极，其中，0≤a≤1；所述p型半导体器件包括：形成在所述硅衬底的所述表面上的p型沟道区；与所述p型沟道区的表面相对形成的p型源区以及p型漏区；形成在所述p型源区以及所述p型漏区之间的所述p型沟道区的所述表面上的第二栅绝缘膜；形成在所述第二栅绝缘膜上的具有所述金属元素M和第二IV族半导体元件Si1-cGec的化合物的第二栅极，其中，0≤c≤1，a≠c。
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