[发明专利]激光退火方法及激光退火装置有效
| 申请号： | 200410097883.9 | 申请日： | 2004-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1649081A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 本乡幹雄;矢崎秋夫;波多野睦子 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立显示器 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324;H01L21/20;H01L21/477;B23K26/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种激光退火方法及激光退火装置。借助插入到光束整形器和基板之间的转像器的以光轴为中心的转动，将利用调制器进行时间调制、利用光束整形器整形为细长形状的光束的激光的纵向方向围绕光轴转动，在对基板上的多个方向进行退火时，使整形为细长形状的激光在基板上转动，承载基板的基座只在XY两个方向上移动。由此，就可以将进行过时间调制，并且整形为细长形状的连续振荡的激光，在不使基板转动的情况下进行高速扫描对半导体薄膜进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种激光退火装置，其特征在于包括：用于承载基板并在两个正交的方向上移动的基座；使激光振荡的激光振荡器；将上述激光整形为细长形状的光束整形器；按照将整形为上述细长形状的激光投影到在上述基座上承载的上述基板上的位置关系配置的成像透镜；以及使整形为上述细长形状的上述激光围绕该激光的光轴转动的单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
