[发明专利]薄膜晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 200410096277.5 | 申请日： | 2004-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1779929A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 沈嘉男;谢呈男;刘博智 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;徐金国 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制作方法，通过在源极与漏极的离子掺杂过程中，加入氮气的注入以抑制其它掺质浓度的扩散速率，使低温多晶硅在退火(Annealing)之后自动形成浅接面的轻掺杂漏极结构(Lightly Doped Drain，LDD)。氮气的注入可于注入其它掺质之前或之后施行。氮气注入的深度小于或等于其它掺质的注入深度。利用此方法制造轻掺杂漏极结构，可简化工艺，改善热载流子效应并钝化多晶硅中的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，包含下列步骤：提供一基板，在基板表面形成一多晶硅层，该多晶硅层表面覆盖一栅极绝缘层；形成一栅电极区在该栅极绝缘层之上；进行离子注入工艺，将掺质注入于该栅电极区周围的多晶硅层中，其中该掺质包含氮及第一导电型态离子，该氮掺质的注入深度小于或等于该第一导电型态离子的注入深度；以及进行退火工艺，以活化扩散该多晶硅层中的该掺质而形成一轻掺杂漏极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
