[发明专利]具有锗沟道区域的非平面晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200410095370.4 | 申请日： | 2004-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1622336A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 梁正焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有多栅极结构的非平面晶体管及其制造方法，该结构包括锗沟道区域。非平面晶体管包括硅体和覆盖硅体暴露表面的沟道区域。该沟道区域由锗层形成，并包括第一沟道区域和第二沟道区域。为了形成锗沟道区域，在衬底上形成平台型活性区域，并且形成锗层以便覆盖该活性区域的两个侧壁和上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 区域 平面 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非平面晶体管，包括：在衬底上形成的硅体，该硅体具有两个侧壁和上表面；沟道区域，其载流子迁移率大于所述硅体，并覆盖硅体的三个表面；在沟道区域上形成的栅极；插在沟道区域和栅极之间的栅极介电层；以及在沟道区域的两侧上形成的源/漏区域。
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