[发明专利]具有至少一个存储节点的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410092659.0 | 申请日： | 2004-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1619818A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘硕垣;吴京锡;朴柱成;辛中铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/822;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件及制造该半导体器件的方法，适于防止在存储节点之间产生电桥，而不增加平面面积。在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少一个存储节点。该存储节点具有底部和从底部边缘向上延伸的侧壁。至少部分侧壁凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 至少 一个 存储 节点 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件包括：半导体衬底；以及存储节点，形成在半导体衬底上以及具有底部和从底部边缘向上延伸的侧壁，至少部分侧壁凹陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
