[发明专利]表面波激发等离子体CVD系统

摘要

一种表面波激发等离子体CVD系统，在通过将原料气体从上表面气体引入导管和侧表面气体引入导管其中至少之一供给到室(1)而供给包括硅原素的原料气体的同时，还用表面波激发等离子体激活原料气体，并将在原料气体中启动化学反应的过程气体从过程气体引入导管(5)供入到室(1)中。上表面气体引入导管和/或侧表面气体引入导管的气体供给孔被设置为比过程气体供给装置的气体供给孔更靠近衬底。

主权项

1.一种表面波激发等离子体CVD系统，其通过电介质元件将微波引入到等离子体处理室中，产生微波的表面波，利用表面波激发等离子体处理室中的气体以产生表面波激发等离子体，并利用表面波激发等离子体在衬底上沉积硅化合物，所述表面波激发等离子体CVD系统包括：原料气体供给装置，其将包括硅元素的原料气体从气体供给孔供给到等离子体处理室中；和过程气体供给装置，其将过程气体从与原料气体供给装置的气体供给孔分开设置的气体供给孔供给到等离子体处理室中，所述过程气体引起受到表面波激发等离子体激活的原料气体发生化学反应。