[发明专利]多阶分离栅极快闪存储器

摘要

一种多阶分离栅极快闪存储器，此快闪存储器由基底、存储单元列、拟选择栅极、源极区与漏极区所构成。而且，此存储单元列由多个存储单元串连而成，且各个存储单元至少包括堆栈栅极结构与选择栅极。各个存储单元的堆栈栅极结构配置于基底上。选择栅极配置于堆栈栅极结构的一侧壁。拟选择栅极配置于存储单元列的一侧，且与存储单元列最末端的存储单元的堆栈栅极结构侧壁邻接。源极区与漏极区分别配置于拟选择栅极与存储单元列侧边的基底中。

主权项

1、一种多阶分离栅极快闪存储器，包括：一基底；一存储单元列，配置于该基底上，该存储单元列由多个存储单元串连而成，且各该存储单元包括：一堆栈栅极结构，配置于该基底上，且该堆栈栅极结构从该基底起依序为一穿隧介电层、一浮置栅极、一第一栅间介电层与一控制栅极；一选择栅极，配置于该堆栈栅极结构的一侧壁；一第二栅间介电层，配置于该堆栈栅极结构侧壁与该选择栅极之间；以及一选择栅极介电层，配置于该选择栅极与该基底之间；一拟选择栅极，配置于该存储单元列的一侧，且与该存储单元列最末端的存储单元的堆栈栅极结构侧壁邻接；以及一源极区与一漏极区，分别配置于该拟选择栅极与该存储单元列侧边的该基底中。