[发明专利]改善轻掺杂源/漏极的掺杂轮廓的方法无效
| 申请号： | 200410089392.X | 申请日： | 2004-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1787191A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 许允埈 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是提供一种改善轻掺杂源/漏极的掺杂轮廓的方法，它利用对衬底层与经过干式刻蚀的轻掺杂牺牲层进行湿式刻蚀，利用湿式刻蚀的等向性刻蚀原理，使其形成一剩余衬底层与一剩余轻掺杂牺牲层，再以闸极结构、剩余衬底层与剩余轻掺杂层为罩幕来进行浓度较低的源/漏极掺杂工艺，再进行一掺杂原子扩散驱动，从而获得一具较佳倾斜轮廓的轻源/漏极延伸掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 掺杂 轮廓 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改善轻掺杂源/漏极的掺杂轮廓的方法，其包括下列步骤：提供一半导体基底，其内形成有多个隔离区域；在该半导体基底上形成一晶体管栅极结构；在该半导体基底上形成一衬底层；在该栅极结构侧壁形成一轻掺杂牺牲层；对该轻掺杂牺牲层进行刻蚀，以形成一剩余轻掺杂牺牲层；对该衬底层进行刻蚀，以形成一剩余衬氧化层；以及以该栅极结构、该轻掺杂牺牲层与该剩余氧化层为掩膜，进行一低浓度的离子注入，以在该半导体基底内形成轻掺杂源/漏极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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