[发明专利]快闪存储单元及其制造方法

摘要

一种快闪存储单元，主要包括第一导电型基底、栅极堆栈结构、第一导电型源极/漏极区、金属硅化物层、层间介电层以及接触插塞。其中，第一导电型基底上已形成有第二导电型浅井区。金属硅化物层配置在第一导电型漏极区内，而接触插塞则形成于层间介电层中，并与第一导电型漏极区内的金属硅化物层电连接，以降低接触插塞与第一导电型漏极区与第二导电型浅井区之间的电阻值，进而提高快闪存储单元的读取速度与效能。

主权项

1、一种快闪存储单元的制造方法，包括：于一第一导电型基底中形成一第二导电型浅井区；于该第一导电型基底上形成一栅极堆栈结构，且该栅极堆栈结构由该第一导电型基底起依序包括一穿隧介电层、一浮置栅极、一栅间介电层以及一控制栅极，而该栅极堆栈结构位于该第二导电型浅井区上；于该栅极堆栈结构二侧的该第一导电型基底中的该第二导电型浅井区中分别形成一第一导电型源极区以及一第一导电型漏极区；于该第一导电型漏极区中形成一金属硅化物层，且该金属硅化物层贯穿该第一导电型漏极区与该第二导电型浅井区的结；于该第一导电型基底以及该栅极堆栈结构上形成一层间介电层；以及于该层间介电层中形成一接触插塞，且该接触插塞藉由该金属硅化物层而与该第一导电型漏极区以及该第二导电型浅井区电连接。