[发明专利]高频功率放大器电路与用于高频功率放大器的电子部件

摘要

在使用一种电流镜方法向放大FET提供偏压的高频功率放大器电路中，能够自动校正因FET沟道杂质浓度的耗散所导致的临界电压Vth的耗散、以及因短沟道效应所导致的临界电压Vth和沟道长度调制系数λ的耗散所产生的一个偏压点的偏移，并且能够减小高频功率放大特性的耗散。在使用一种电流镜方法向放大放大FET提供偏压的高频功率放大器电路中，电流模拟晶体管拥有与放大晶体管相同的沟道长度或基极宽度，并且按与放大晶体管相同的工艺加以形成。一个偏压生成电路，用于把一个根据施加于晶体管的电流所形成的一个电压与一个由把来自恒流电路的电流转换成电压的电流－电压转换元件所生成的一个参考电压加以比较，并向所述放大晶体管和电流模拟晶体管提供一个能够禁止放大晶体管的无功电流因短沟道效应或早期效应而变化的偏压。

主权项

1.一种高频功率放大器电路，包括：一个放大晶体管，用于放大一个高频信号；以及一个电流-电压转换元件，用于通过施加一个预先确定的电流，把电流转换成电压，其中，把一个相应于所述电流-电压转换元件所生成的电压施加于所述放大晶体管的控制引脚，从而使一个与流向所述电流-电压转换元件的电流成比例的电流流动，所述高频功率放大器电路包括：一个偏压生成电路，该偏压生成电路包括一个电流模拟晶体管，该电流模拟晶体管拥有与所述放大晶体管相同的沟道长度或基极宽度，并以与所述放大晶体管相同的工艺加以形成；以及一个二极管连接的晶体管，串行地与所述晶体管相连；所述偏压生成电路把一个根据流向所述二极管连接的晶体管的电流所形成的电压与一个由把来自一恒流电路的电流转换成电压的电流-电压转换元件所生成的一个参考电压加以比较，并向所述放大晶体管和电流模拟晶体管提供一个能够禁止所述放大晶体管的无功电流因短沟道效应或早期效应而变化的偏压。