[发明专利]设定集成内存测试模式电压供应之电路装置有效
| 申请号： | 200410085197.X | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1607666A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | R·林德斯特德特 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/66;G01R31/26;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;陈景峻 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种设定用于一集成内存之一测试模式的一供应电压的电路装置系包括一电压产生器电路(3)，以用于产生一供应电压(VNWLL)，而施加至该内存的位线(BL1，BL2)，接着，一控制电路(4)系藉由用于辨识一测试模式的一测试模式信号(TM)而加以驱动，且其系被连接至该电压产生器电路(3)，而该控制电路系使得该供应电压(VNWLL)能够在该测试模式中被施加至该等位线(BL1，BL2)的至少其中之一。该电压产生器电路(3)系会于该测试模式中产生一负供应电压数值(VNWLL)。此装置系使得藉由在字符线以及位线间的一足够高电压差异，即使是在小特征尺寸的例子中，而实行一预烧测试模式，并且同时符合相关于一骤回崩溃(snapback breakdown)的电压限制成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 设定 集成 内存 测试 模式 电压 供应 电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种设定用于一集成内存之一测试模式的一供应电压的电路装置，其中，字符线(WL1，WL2)系被连接至该集成内存之该测试模式中的一正供应电压(VPP)，该电路装置系包括：-一电压产生器电路(3)，以用于产生一供应电压(VNWLL)，而施加至该集成内存的位线(BL1，BL2)；以及-一控制电路(4)，其系藉由用于辨识该集成内存之一测试模式的一测试模式信号(TM)而加以驱动，并且，其系被连接至该电压产生器电路(3)，而该控制电路系使得该供应电压(VNWLL)能够在该测试模式中被施加至该等位线(BL1，BL2)的至少其中之一，-其中，该电压产生器电路(3)系会于该测试模式中产生一负供应电压数值(VNWLL)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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