[发明专利]氧化锑被覆氧化硅类微粒、其制造方法及含该微粒的膜被覆基材有效
| 申请号： | 200410084010.4 | 申请日： | 2004-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1608986A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 村口良;熊泽光章;西田广泰;平井俊晴 | 申请（专利权）人： | 触媒化成工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种折射率低并且具有导电性的氧化锑被覆氧化硅类微粒。此氧化锑被覆氧化硅类微粒由多孔质的氧化硅类微粒或内部具有空洞的氧化硅微粒上被覆氧化锑而形成。此氧化锑被覆氧化硅类微粒的折射率在1.35～1.60的范围内，体积电阻值在10～5000Ω/cm的范围内，平均粒径在5～300nm的范围内，氧化锑被覆层的厚度在0.5～30nm的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 被覆 微粒 制造 方法 基材 | ||
【主权项】：
1.一种氧化锑被覆氧化硅类微粒，是由氧化硅类微粒与氧化锑被覆层组成的微粒，其特征在于，其折射率在1.35～1.60的范围内，体积电阻值在10～5000Ω/cm的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于触媒化成工业株式会社，未经触媒化成工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410084010.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
